Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit großemεmit geringerer Dicke zum Strukturieren eines dielektrischen Materials bei der Herstellung von Transistoren,申请号DE200810011926-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit großemεmit geringerer Dicke zum Strukturieren eines dielektrischen Materials bei der Herstellung von Transistoren
摘要
申请公布号	DE102008011926(B4)	申请公布日期	2010.11.25
申请号	DE200810011926	申请日期	2008.02.29
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG	发明人	MULFINGER, ROBERT;WEI, ANDY;BOSCHKE, ROMAN;SCOTT, CASEY
分类号	H01L21/8238;H01L21/283;H01L21/335;H01L27/092;H01L29/417;H01L29/78	主分类号	H01L21/8238
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