Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements,申请号DE200510026315-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号	DE102005026315(B4)	申请公布日期	2010.11.25
申请号	DE200510026315	申请日期	2005.06.07
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC.	发明人	KIM, SANG CHEOL
分类号	H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8242	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
地址