| 发明名称 | 电阻存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种电阻存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层；在层间介质层内形成第一互连结构；在第一互连结构和层间介质层上形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；在电阻可变存储介质层上形成第二互连结构。本发明可以极大的提高电阻存储器的低阻电阻值，减小从低阻到高阻的编程电流，从而减小存储器的整体功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101894806A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910051868.3 | 申请日期 | 2009.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄晓辉;季明华;宋立军;吴金刚;林殷茵 |
| 分类号 | H01L21/8256(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8256(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种电阻存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层；在层间介质层内形成第一互连结构；在第一互连结构和层间介质层上形成电阻可变存储介质层，所述电阻可变存储介质层为金属硅氧化物；在电阻可变存储介质层上形成第二互连结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||