改良正向传导的氮化镓半导体器件

摘要

一个氮化镓半导体二极管包括一个衬底、一个半导体本体包括一个第一重掺杂GaN层和第二轻掺杂GaN层。半导体本体还包括一个台面结构的图案从下表面中向上伸出，并且每个台面结构都含有第二GaN层和一部分第一GaN层。肖特基接触形成在台面结构的上表面上，欧姆接触形成在台面结构的下表面上。在肖特基和欧姆接触上方，形成一个绝缘层，并在绝缘层中形成用于肖特基和欧姆接触的通孔。第一金属焊盘形成在第三金属层中，位于肖特基接触的通孔上方，作为阳极电极。第二金属焊盘形成在第三金属层中，位于欧姆接触的通孔上方，作为阴极电极。

主权项

一种氮化镓半导体二极管，包括：一个衬底；一个半导体本体包括一个形成在衬底上的第一导电类型的第一GaN层，一个形成在第一GaN层上的第一导电类型的第二GaN层，其中第二GaN层的掺杂浓度低于第一GaN层，半导体本体还包括数个台面结构从一下表面中向上伸出，部分下表面延伸到第一GaN层，并且每个台面结构都含有第二GaN层和一部分第一GaN层；一个在台面结构的上表面形成的第一金属层，和第二GaN层一同形成一个肖特基结；一个在下表面形成的第二金属层，用于和第一GaN层形成欧姆接触；一个在第一和第二金属层上方形成的绝缘层；第一套在绝缘层中形成的通孔，以便为第一金属层形成开口，在开口中用通孔金属填充第一套通孔；第二套在绝缘层中形成的通孔，以便为第二金属层形成开口，在开口中用通孔金属填充第二套通孔；一个在绝缘层上方的第三金属层中形成的第一金属焊盘，位于第一套通孔上方，作为一个阳极电极；以及一个在第三金属层中形成的第二金属焊盘，位于第二套通孔上方，作为一个阴极电极。