| 发明名称 | 一种GaAs微波功率放大器保护控制电路 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器（1）、开关三极管（2）和PMOS晶体管（3），所述光电耦合器（1）内部的发光三极管（4）的输入端连接负电压；高速光电耦合器（1）内部的光敏三极管（5）的输入端连接正电压，其输出端串接开关三极管（2）；开关三极管（2）串接PMOS晶体管（3）。本实用新型利用负电压控制正电压的输出，实现对功率放大器的供电保护功能，为产品中的关键件（功率放大器）的安全正常可靠工作提供了保证。 | ||
| 申请公布号 | CN201656917U | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201020208764.7 | 申请日期 | 2010.05.31 |
| 申请人 | 中国江南航天工业集团林泉电机厂 | 发明人 | 杨亚宁 |
| 分类号 | H03F1/52(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人 | 刘楠 |
| 主权项 | 一种GaAs微波功率放大器保护控制电路，包括高速光电耦合器（1）、开关三极管（2）和PMOS晶体管（3），其特征在于：所述高速光电耦合器（1）内部的发光三极管（4）的输入端连接负电压（VSS）；高速光电耦合器（1）内部的光敏三极管（5）的输入端连接正电压（VCC），光敏三极管（5）的输出端串接开关三极管（2）；开关三极管（2）串接PMOS晶体管（3）。 | ||
| 地址 | 550008 贵州省贵阳市三桥新街28号 | ||