| 发明名称 | 半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。 | ||
| 申请公布号 | CN101896999A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200880119995.6 | 申请日期 | 2008.12.26 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 高田朋幸;山中贞则;秦雅彦 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其具有：Si基板；在所述基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；在所述Ge层上结晶生长，且由含P的3‑5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及结晶生长在所述缓冲层上的功能层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||