| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种流到发光层的电流均匀、来自发光层的光的取出效率高且高辉度的发光二极管(1)，其具有：包含发光层(2)的发光部(3)、隔着半导体层(4)与发光部(3)接合的基板(5)、位于发光部(3)的上面的第1电极(6)、位于基板(5)的底面的第2电极(7)和在半导体层(4)上且位于发光部(3)的外周的欧姆电极(8)，在半导体层(4)中具有位于发光部(3)的外周的使欧姆电极(8)与基板(5)导通、并且沿半导体层(4)的厚度方向贯通的贯通电极(9)。 | ||
| 申请公布号 | CN101897045A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200880120485.0 | 申请日期 | 2008.11.25 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 竹内良一 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于，具有：包含发光层的发光部、隔着半导体层与所述发光部接合的基板、位于所述发光部的上面的第1电极、位于所述基板的底面的第2电极、在所述半导体层上且位于所述发光部的外周的欧姆电极，在所述半导体层中具有位于所述发光部的外周的使所述欧姆电极与所述基板导通、并且沿着所述半导体层的厚度方向贯通的贯通电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||