| 发明名称 | 绝缘栅E模式晶体管 | ||
| 摘要 | 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。 | ||
| 申请公布号 | CN101897029A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200880120050.6 | 申请日期 | 2008.11.26 |
| 申请人 | 特兰斯夫公司 | 发明人 | 徐昌秀;伊兰·本-雅各布;罗伯特·科菲;乌梅什·米什拉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种III族氮化物HEMT器件，包括：栅极电极；源极电极和漏极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极和漏极电极形成欧姆接触的最上层的N面堆叠；以及沟道耗尽部分，其在所述栅极电极与所述N面堆叠的所述最上层之间，其中，所述沟道耗尽部分未一直延伸到所述源极电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||