发明名称 |
宽量程电子隧穿式氧化锌纳米探针真空规及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及纳米制备、纳米加工和纳米器件的应用技术领域,特别涉及宽量程纳米真空规及其制备方法。该真空规是由纳米探针和导电电极构筑的纳米尺度隧道结构成,所述纳米探针是尖端曲率半径小于5纳米的氧化锌棒状单晶纳米探针,它的尾端通过金属电极定位沉积固定在氧化硅薄膜/硅基片或氮化硅薄膜/硅基片上,在该基片上还定位沉积有另一碳膜电极,纳米探针的针尖指向碳膜电极,针尖尖端与碳膜电极保持在未电学连接状态,且距离小于5纳米。其制备过程中利用常规的MEMS工艺,选用纳米探针结构和纳米隧道结这种非接触式的器件架构,恰当的选定加工处理工艺控制参数达到优化值,使真空规工作于电子隧穿模式,整个过程参数控制方便,加工工艺成熟,可靠性高。 |
申请公布号 |
CN1800799B |
申请公布日期 |
2010.11.24 |
申请号 |
CN200510095556.4 |
申请日期 |
2005.11.18 |
申请人 |
中国科学技术大学 |
发明人 |
潘楠;张琨;王晓平;侯建国 |
分类号 |
G01L21/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
余成俊 |
主权项 |
一种宽量程电子隧穿式氧化锌纳米探针真空规,其特征在于,该真空规是由纳米探针和导电电极构筑的纳米尺度隧道结构成,所述纳米探针是尖端曲率半径小于5纳米的氧化锌棒状单晶纳米探针,它的尾端通过金属电极定位沉积固定在氧化硅薄膜/硅基片或氮化硅薄膜/硅基片上,在该基片上还定位沉积有另一碳膜电极,纳米探针的针尖指向碳膜电极,针尖尖端与碳膜电极保持在未电学连接状态,且距离小于5纳米。 |
地址 |
230026 安徽省合肥市金寨路96号 |