| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，包括在一超纯水制备系统中排列里面具有一UF模块的UF装置，它通过在它的内部排列许多由聚砜膜或聚酰亚胺膜组成的毛细空心纤维膜，通过热焊接使这多个空心纤维膜在它们的末端粘合起来，并通过这一热焊接，同时使空心纤维膜粘合到底盘上而制成。在将用于半导体集成电路器件的制造的超纯水的制备上，本发明使得可能防止电离胺流入到超纯水中。 | ||
| 申请公布号 | CN101894798A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010002521.2 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;瑞萨北日本半导体公司 | 发明人 | 高桥理;小笠原邦男 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C02F9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)准备晶片；(b)在第一湿处理设备中清洗该晶片的表面；(c)在步骤(b)清洗的晶片的表面上形成隧道氧化物膜；(d)在步骤(c)之后，在该晶片的表面上分别形成浮动栅电极、隔层电容器膜、和控制栅电极；其中步骤(b)的清洗步骤使用净化水进行，该净化水通过如下步骤净化：(b1)将第一水引入到第一水净化系统中并净化第一水，从而从所述第一水净化系统引出第一净化水；(b2)将所述第一净化水引入到具有纯水循环系统的第二水净化系统中，并净化第一净化水，从而从所述纯水循环系统上的第一供应点引出第二净化水；以及(b3)向第一湿处理设备提供所述第二净化水，从而在步骤(b)中清洗该晶片的表面；其中，所述步骤(b3)包含下列子步骤：(b3‑1)使所述第二净化水通过至少能够去除阳离子的离子过滤器，所述离子过滤器布置在所述第一供应点和所述第一湿处理设备中的使用点之间，所述离子过滤器具有环形薄片形状的薄膜，以及(b3‑2)向所述使用点提供通过所述离子过滤器的第二净化水。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||