| 发明名称 | 接触孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种接触孔的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，其包括导电层、所述导电层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的层间介质层；对所述层间介质层进行第一刻蚀，使得在所述层间介质层中形成通孔；对所述刻蚀停止层进行第二刻蚀，使得在所述刻蚀停止层中形成通孔；所述第二刻蚀的刻蚀气体包括：CH2F2、O2、N2，以及氟碳比大于2的气体。本发明的接触孔的形成方法，减少了对半导体基底的接触孔底部的导电层的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101894791A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910084636.8 | 申请日期 | 2009.05.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 张海洋;王新鹏;符雅丽 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，其包括导电层、所述导电层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的层间介质层；对所述层间介质层进行第一刻蚀，使得在所述层间介质层中形成通孔；对所述刻蚀停止层进行第二刻蚀，使得在所述刻蚀停止层中形成通孔；所述第二刻蚀的刻蚀气体包括：CH2F2、O2、N2，以及氟碳比大于2的气体。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||