一种半导体芯片制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体芯片的制造方法，其包括在硅片上形成氧化膜的步骤、在形成氧化膜的硅片上涂布光刻胶的步骤、通过掩膜版在涂有光刻胶的硅片上刻制电路图形的步骤、通过蚀刻去除硅片表面多余光刻胶及氧化膜的步骤、通过离子注入在硅片形成晶片所需元件的步骤以及在硅片上形成金属连线的步骤，其中在硅片上形成金属连线的步骤包括在硅片表面上沉积金属铝的步骤以及对金属铝进行蚀刻以形成连线布图的步骤，本发明在形成金属连线的步骤对铝进行蚀刻时采用包含氮气的混和气体作为蚀刻气体，反应时副产物较少，而且会形成热稳定膜，能对铝侧壁形成保护，能减少电子迁移的路径，降低电子迁移发生的机率。

主权项

一种半导体芯片的制造方法，在形成氧化膜的硅片上涂布光刻胶的步骤、通过掩膜版在涂有光刻胶的硅片上刻制电路图形的步骤、通过蚀刻去除硅片表面多余光刻胶及氧化膜的步骤、通过离子注入在硅片形成晶片所需元件的步骤以及在硅片上形成金属连线的步骤，其中在硅片上形成金属连线的步骤包括在硅片表面上沉积金属铝的步骤以及对金属铝进行蚀刻以形成金属连线的步骤，其特征在于：在前述形成金属连线的对金属铝进行蚀刻以形成金属连线的步骤中，对金属铝进行蚀刻的气体为包含氮气的混和气体。