| 发明名称 | 避免光刻胶层图形损伤的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种避免光刻胶层图形损伤的方法，包括：对晶圆衬底进行气相成底膜处理、旋转涂胶、软烘及曝光；对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间；对等待设定时间的具有光刻胶层的晶圆衬底进行曝光后烘焙、显影及坚膜烘焙，得到光刻胶层图形。本发明提供的方法避免了所形成的光刻胶层图形损伤，保证光刻胶层图形和在掩膜上构造的图形一致。 | ||
| 申请公布号 | CN101893823A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910085334.2 | 申请日期 | 2009.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 杨晓松;黄德坤;余云初 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种避免光刻胶层图形损伤的方法，包括：对晶圆衬底进行气相成底膜处理、旋转涂胶、软烘及曝光；对曝光后的具有光刻胶层的晶圆衬底等待设定的时间；对等待设定时间的具有光刻胶层的晶圆衬底进行曝光后烘焙、显影及坚膜烘焙，得到光刻胶层图形。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||