| 发明名称 | 经外延涂覆的硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造经外延涂覆的硅晶片的第一方法，其中将在其正面上经抛光的硅晶片放置在外延反应器中的基座上，第一步骤在氢气氛中进行预处理，第二和第三步骤则将蚀刻介质加入氢气氛而进行预处理，随后提供外延层，其中在第一和第二步骤中氢气流量为20至100slm，在第二和第三步骤中蚀刻介质的流量为0.5至1.5slm，在第二步骤中反应室内的平均温度为950至1050℃，并调节设置在基座上方和下方的加热元件的功率，从而在待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的径向对称区域与硅晶片位于该区域以外的部分之间存在5至30℃的温度差；在第三步骤中氢气流量下降至0.5至10slm。在第二方法中，第三步骤中蚀刻介质的流量提高至1.5至5slm，第三步骤中氢气流量必须不降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101894743A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010183297.1 | 申请日期 | 2010.05.20 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·哈贝雷希特 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于制造经外延涂覆的硅晶片的方法，其中将在其正面上经抛光的硅晶片放置在外延反应器中的基座上，第一步骤在氢气氛中进行预处理，第二和第三步骤则将蚀刻介质加入氢气氛而进行预处理，随后提供外延层，其中在第一和第二步骤中氢气流量为20至100slm，在第二和第三步骤中蚀刻介质的流量为0.5至1.5slm，此外在第二步骤中反应室内的平均温度为950至1050℃，并且调节设置在基座上方和下方的加热元件的功率，从而在待进行外延涂覆的硅晶片围绕中心轴的径向对称区域与硅晶片位于该区域以外的部分之间存在5至30℃的温度差；而在第三步骤中氢气流量下降至0.5至10slm。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||