| 发明名称 | 绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：<img file="200810081281.2_ab_0.GIF" wi="174" he="152" />结构式(1)其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。 | ||
| 申请公布号 | CN101257003B | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200810081281.2 | 申请日期 | 2008.02.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 小林靖志;中田义弘;尾崎史朗 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01B3/18(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜材料，其包括：由下述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物：<img file="FSB00000005630500011.GIF" wi="525" he="420" />结构式(1)其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>相同或不同，且，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>和R<sup>4</sup>中至少一个表示包括烃的官能团；所述硅化合物的重均分子量为200～50,000。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||