| 发明名称 | 具有硅通孔的集成电路系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种集成电路系统的制造方法，包括：提供包括主动元件的基板；在该基板中形成硅通孔；在该硅通孔上方形成绝缘层，以保护该硅通孔；形成该绝缘层后，形成至该主动元件的接触；以及去除该绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN101894793A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010182889.1 | 申请日期 | 2010.05.19 |
| 申请人 | 新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司 | 发明人 | P·R·叶拉汉卡;D·谭;C·M·莱克;T·蒂亚姆;J·C·拉姆;L-C·夏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种集成电路系统的制造方法，包括：提供包括主动元件的基板；在该基板中形成硅通孔；在该硅通孔上方形成绝缘层，以保护该硅通孔；形成该绝缘层后，形成至该主动元件的接触；以及去除该绝缘层。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||