| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101894759A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010146957.9 | 申请日期 | 2010.03.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大原宏树;佐佐木俊成 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L21/471(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;徐予红 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成具有非晶结构的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成包含氧化硅的无机绝缘膜；以及在形成所述包含氧化硅的无机绝缘膜之后进行300℃或以上的加热处理，其中，经过所述加热处理的所述氧化物半导体层具有非晶结构。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||