一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器

摘要

本发明涉及半导体激光器装置，特别是一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器，包括n面电极、衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、接触层和p面电极，半导体激光器内长有周期性变化的光栅，该光栅是部分刻槽的有源层和上波导层或者是部分刻槽的有源层和下波导层或者是由部分刻槽的上波导层和上包层或者是由部分刻槽的下波导层和下包层契合组成的周期结构，或者是部分刻槽的接触层和镀在接触层上的p面电极组成的金属光栅结构。本发明使侧向光场相位锁定，达到高空间相干性，纵向模式锁定，保证高的时间相干性，从而实现高功率相干出光的目的。

主权项

一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器，包括n面电极(1)、衬底(2)、缓冲层(3)、下包层(4)、下波导层(6)、有源层(7)、上波导层(8)、上包层(9)、接触层(10)和p面电极(11)，衬底(2)上面依次长有缓冲层(3)、下包层(4)、下波导层(6)、有源层(7)、上波导层(8)、上包层(9)和接触层(10)，衬底(2)下面镀有n面电极(1)，接触层(10)上镀有p面电极(11)，其特征在于，该半导体激光器内部长有周期性变化的光栅(5)，所说的光栅(5)是由部分刻槽的有源层(7)和上波导层(8)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的有源层(7)和下波导层(6)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的上波导层(8)和上包层(9)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的下波导层(6)和下包层(4)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的接触层(10)和p面电极(11)组成的金属光栅结构。