| 发明名称 | 提高NMOS晶体管电子迁移率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高NMOS电子迁移率的方法，所述方法包括下列步骤：提供CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管；在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面利用化学气相淀积的方法沉积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面沉积应力膜；在所述应力膜表面形成掩模图案，所述掩模图案覆盖所述NMOS晶体管表面的应力膜并露出所述PMOS晶体管表面的应力膜；进行刻蚀，露出PMOS晶体管表面；对具有所述刻蚀停止层和所述应力膜的CMOS器件进行高温退火；刻蚀去除所述应力膜和所述刻蚀停止层。该方法降低了CMOS器件中PMOS晶体管和NMOS晶体管表面存在的损伤缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101894799A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910085435.X | 申请日期 | 2009.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李敏 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种提高NMOS晶体管电子迁移率的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管；在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面利用化学气相淀积方法沉积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面沉积应力膜；在所述应力膜表面形成掩模图案，所述掩模图案覆盖所述NMOS晶体管表面的应力膜并露出所述PMOS晶体管表面的应力膜；进行刻蚀，露出PMOS晶体管表面；对具有所述刻蚀停止层和所述应力膜的CMOS器件进行高温退火；刻蚀去除所述应力膜和所述刻蚀停止层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||