等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极

摘要

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，对生成等离子体所消耗的高频的电场强度分布进行控制。等离子体蚀刻装置(10)具有：在内部对晶片(W)进行等离子体处理的处理容器(100)；上部电极(105)和下部电极(110)，在处理容器(100)的内部相互相对，且在它们之间形成处理空间；以及高频电源(150)，其与上部电极(105)和下部电极(110)中的至少一个连接，向处理容器(100)的内部输出高频电力。上部电极(105)和下部电极(110)的至少一个包括：由板状的电介质形成基材(105a)；具有开口部、且覆盖基材(105a)的导电性盖(105b)；和设置在基材(105a)与等离子体之间的金属的第一电阻体(105d)。

主权项

一种等离子体处理装置，包括：处理容器，其在内部对被处理体进行等离子体处理；第一电极和第二电极，其在所述处理容器的内部相互相对，且在它们之间形成处理空间；和高频电源，其与所述第一电极和所述第二电极中的至少一个连接，向所述处理容器内输出高频电力，该等离子体处理装置的特征在于：所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括：由板状的电介质形成的基材；和在所述基材与等离子体之间设置的金属的第一电阻体。