发明名称 焊料凸块UBM结构
摘要 本发明涉及焊料凸块UBM结构。公开了一种包括形成在芯片接合垫上的多个金属或金属合金层的凸块下金属化结构。因为基于铜的层的厚度被降低到大约0.3微米和10微米之间,优选在大约0.3微米和2微米之间,因此所公开的UBM结构具有对半导体器件上的应力改善。纯锡层的存在防止了基于镍的层的氧化和污染。也为随后的工艺形成了良好的可焊接表面。还公开了具有所公开的UBM结构的半导体器件及制造该半导体器件的方法。
申请公布号 CN101894814A 申请公布日期 2010.11.24
申请号 CN201010136548.0 申请日期 2010.02.23
申请人 宇芯先进技术有限公司 发明人 刘颂初;程子玶
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 刘倜
主权项 一种凸块下金属化UBM结构,包括:设置在半导体基板的接合垫上方的第一金属或金属合金层;设置在所述第一层上方的第二金属或金属合金层;设置在所述第二层上方的第三金属或金属合金层;设置在所述第三层上方的第四金属或金属合金层,所述第四层包括纯锡或锡合金并且与焊料凸块接触;其中没有两个相邻层由相同的金属或金属合金形成。
地址 马来西亚吉隆坡