| 发明名称 | 移除光刻胶的方法 | ||
| 摘要 | 一种方法，包括：在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区；使用所述光刻胶图案作为离子注入屏障，在所述材料层的离子注入区中注入杂质；和使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101894751A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010240766.9 | 申请日期 | 2007.06.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑台愚 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;G03F7/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在材料层的特定部分上方形成光刻胶图案以暴露出离子注入区；使用所述光刻胶图案作为离子注入屏障，在所述材料层的离子注入区中注入杂质；和使用包含二酰亚胺(N2H2)的气体混合物等离子体移除所述光刻胶图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||