磁阻效应元件、薄膜磁头、磁头万向节组件和硬盘装置

摘要

本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能，上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间，形成防氧化层，上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成，故在不使磁头噪声增大，得到高的MR特性的同时，得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性，使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。

主权项

磁阻效应元件，其是具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的、在其层叠方向施加读出电流的CPP(CurrentPerpendicular to Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，其特征在于，上述自由层以磁化方向随外部磁场变化的方式发挥功能，上述间隔层具有由Cu构成的第1非磁性金属层和由Cu构成的第2非磁性金属层、以及在所述第1非磁性金属层和第2非磁性金属层之间形成的经过表面氧化处理的由ZnO构成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序上比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间形成防氧化层，上述防氧化层由选自Ru、In、以Ru为主成分的合金和以In为主成分的合金中的至少1种形成。