| 发明名称 | 一种使用剥离法形成金属图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体领域，提供一种使用剥离法形成金属图案的方法，其是在衬底上涂覆正光阻；再对已经涂好光阻的衬底进行软烤，并对已经软烤完成的光阻进行全面曝光；再完成全面曝光的衬底进行曝光后烘烤；使用显影液对上述衬底进行显影，使上述的已经涂覆的两层光阻产生底切结构；使用物理气相沉积法在正光阻衬底上沉积一层金属薄膜；使用一般去光阻的溶液将该光阻溶解，光阻上面的金属将从衬底掀离，从而在衬底形成精细的图案。该方法使用双层正光阻通过光刻技术形成具有底切结构光阻剖面，使后续所沉积金属在光阻图案边缘出产生不连续，在溶液中使光阻溶解而将金属掀离，从而形成精细的金属图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101894792A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910106985.5 | 申请日期 | 2009.05.18 |
| 申请人 | 世纪晶源科技有限公司 | 发明人 | 杨坤进;杨康;陈汝钦 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种使用剥离法形成金属图案的方法，其特征在于，该方法包括：(1)在衬底上涂覆正光阻；(2)对已经涂好光阻的衬底进行软烤，并使用曝光机对已经软烤完成的光阻进行全面曝光，使整个光阻层都进行完全的感光反应；(3)使用精细掩模板对衬底进行曝光；(4)对完成曝光的衬底进行曝光后烘烤；(5)使用显影液对上述衬底进行显影，使上述的涂覆的正光阻产生底切结构；(6)使用物理气相沉积法在上述正光阻衬底上沉积一层金属薄膜；(7)使用一般去光阻的溶液将该正光阻溶解，光阻上面的金属将从衬底掀离，从而在衬底形成精细的图案。 | ||
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||