形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备

摘要

本发明提供了一种形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备，所述形成沟槽的方法包括步骤：测试曝光、显影后的光刻胶掩模图形的沟槽侧壁是否垂直于半导体基底，如果否，则调整曝光的能量，并利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有沟槽的光刻胶掩模图形，然后循环执行该步骤；利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有开口结构的光刻胶掩模图形；对具有所述光刻胶掩模图形的半导体基底进行刻蚀，从而在半导体基底中形成沟槽，该方法使得刻蚀形成的沟槽侧壁更光滑。

主权项

一种形成沟槽的方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底；在所述半导体基底表面形成光刻胶层；利用目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有开口结构的光刻胶掩模图形；测试所述光刻胶掩模图形的沟槽侧壁是否垂直于半导体基底，如果否，则调整曝光的能量，并利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有沟槽的光刻胶掩模图形，然后循环执行该步骤；利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有开口结构的光刻胶掩模图形；对具有所述光刻胶掩模图形的半导体基底进行刻蚀，从而在半导体基底中形成沟槽。