| 发明名称 | 离子注入的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子注入的方法，该方法包括：根据预先指定的离子注入顺序进行离子注入；所述的预先指定的离子注入顺序为：锗离子、砷离子、硼离子、铟离子和碳离子。通过使用上述的离子注入方法，可有效地改善半导体元器件的性能，消除或减小短沟道效应和/或反短沟道效应对半导体元器件性能所产生的不利影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101894748A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200910085448.7 | 申请日期 | 2009.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种离子注入的方法，该方法包括：根据预先指定的离子注入顺序进行离子注入；所述的预先指定的离子注入顺序为：锗离子、砷离子、硼离子、铟离子和碳离子。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||