基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法

摘要

本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiOxNy)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为硅的氮氧化物(SiOxNy)，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt等金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu等与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。本发明通过控制硅氮氧化物的成分，使其硅含量相对较多，引入更多的缺陷，空位，比如氮空位、氧空位等，从而得到稳定的双极器件。

主权项

一种双极阻变存储器，包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其特征在于阻变材料层为硅的氮氧化物SiOxNy，所述SiOxNy的x、y满足条件：2x+3y＜4，x≥0，y≥0，所述底电极为Cu、W、Pt，或者其它与硅的氮氧化物在小于300℃的温度下，不发生反应的金属或者其它导电材料，所述顶电极为Ti、TiN、Al、AlCu，或者其它与硅的氮氧化物发生化学反应的金属或导电材料。