| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的第二电极部分；在所述第二电极部分上的绝缘层；和在所述绝缘层上的第一电极部分，所述第一电极部分的一部分与所述第一导电半导体层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101897046A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200880120725.7 | 申请日期 | 2008.12.12 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 韩载天 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，其包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的第二电极部分；在所述第二电极部分上的绝缘层；和在所述绝缘层上的第一电极部分，所述第一电极部分的一部分与所述第一导电半导体层电连接。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||