| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101894815A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN201010167589.6 | 申请日期 | 2010.04.26 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 本间琢朗;高田佳史 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;郑菊 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：(a)焊盘，形成于半导体衬底的上层中；(b)第一表面保护膜，第一开口在所述焊盘之上形成于所述第一表面保护膜中；(c)第二表面保护膜，第二开口在所述焊盘之上形成于所述第二表面保护膜中，并且所述第二表面保护膜形成于所述焊盘和所述第一表面保护膜之上；以及(d)树脂构件，形成于包括所述第二开口的内部的所述第二表面保护膜之上，其中所述焊盘具有：(a1)第一传导膜；以及(a2)防反射膜，形成于所述第一传导膜之上，其中在所述第一开口的内区域中包括所述第二开口，其中在所述第一开口的所述内区域中去除所述防反射膜，并且其中所述树脂构件包括无卤素的构件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||