| 发明名称 | 用于SIC晶片退火的方法和设备 | ||
| 摘要 | 在用于在高温区域中使碳化硅(SiC)晶片退火的方法中，可能出现第一硅原子层从SiC层的晶体结构中剥离的问题，从而损坏平滑的SiC表面，或者出现“阶梯聚束”的问题，即，晶体结构可能在在晶体内偏移。可以通过用于使SiC晶片退火的方法避免这些问题，该方法包括以下步骤：将多个SiC晶片引入退火炉的加工室中，在加工室中产生真空，同时将SiC晶片加热至1600-2000℃的加工温度，在预定时间内在恒定的加工温度下，将加工室的气氛中的Si分压增大至超过SiC晶片中结合的硅的蒸汽压的值。 | ||
| 申请公布号 | CN101896996A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200880120832.X | 申请日期 | 2008.12.10 |
| 申请人 | 森托塞姆热解决方案两合有限公司 | 发明人 | K·乌韦;R·M·哈通 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 顾敏;周承泽 |
| 主权项 | 一种用于在高温区域中使SiC晶片退火的方法，其特征在于：‑将多个SiC晶片(3)引入退火炉(1)的加工室(2)中，并且在加工室(2)中产生真空，‑同时将SiC晶片(3)加热至1600‑1900℃的加工温度，和‑在预定时间内在恒定加工温度下，将加工室(2)的气氛中的Si分压增大至超过SiC晶片中结合的硅的蒸汽压的值。 | ||
| 地址 | 德国布劳博伊伦 | ||