发明名称 | 可靠接点 | ||
摘要 | 一种镍基锗化物接点包括处理材料,该处理材料在形成接点的处理过程中以及在锗化工艺之后的过程中抑制镍基锗化物的聚结。该处理材料是以镍层上的覆盖层形式存在或者结合在用于形成镍基接点的镍层内。聚结减少提高了接点的电特性。 | ||
申请公布号 | CN101894818A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
申请号 | CN201010215751.7 | 申请日期 | 2004.07.27 |
申请人 | 新加坡科技研究局 | 发明人 | 池东植;李家耀;李德宝;刘晓丽;姚海标 |
分类号 | H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人 | 唐超尘 |
主权项 | 一种制造接点的方法,该方法包括:设置包括至少一个活性区域的基板,所述活性区域包含锗;在活性区域上沉积包含镍的接点层;在接点层设置处理材料;以及处理基板以形成镍基锗化物接点,所述处理包括对基板进行退火以产生反应,从而形成镍基锗化物接点,其中处理材料具有在处理温度下抑制在处理过程中接点层的聚结的量,处理材料的量小于50原子百分比。 | ||
地址 | 新加坡中央地区138668 |