| 发明名称 |
Method of plasma etching of high-K dielectric materials |
| 摘要 |
A method of etching high dielectric constant materials using a halogen gas, a reducing gas and an etch rate control gas chemistry.
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| 申请公布号 |
US7838434(B2) |
申请公布日期 |
2010.11.23 |
| 申请号 |
US20060464276 |
申请日期 |
2006.08.14 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
JIN GUANGXIANG;NALLAN PADMAPANI;KUMAR AJAY |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/311;H01L21/461 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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