| 主权项 |
一种薄膜电晶体阵列面板，包含：一基材；一第一讯号线，其系形成于该基材上；一第二讯号线，其系形成于该基材上且与该第一讯号线相交；一薄膜电晶体，其包括一连接至该第一讯号线且具有一大致平行于该第一讯号线的边缘之闸极电极、一连接至该第二讯号线之源极电极、一重叠于该闸极电极的该边缘之汲极电极及具有一与该闸极电极、该汲极电极和该源极电极重叠之突起的一半导体；及一像素电极，其系连接至该汲极电极；其中该像素电极与该汲极电极系设置于该基材之不同层中，且除该突起之外，该半导体具有与该第二讯号线相同之平坦形状。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体阵列面板，其中该闸极电极的该边缘系大致垂直于该第二讯号线。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体阵列面板，其中该源极电极系部份地包围该汲极电极的一部分。如申请专利范围第3项之薄膜电晶体阵列面板，其中该源极电极具有一面对该汲极电极且呈一钩或马蹄形之边缘。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体阵列面板，其中该源极电极及该汲极电极具有面对彼此且呈直线状之边缘。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极具有一切口。如申请专利范围第6项之薄膜电晶体阵列面板，其中该切口与该第一讯号线构成一约为45度之角。如申请专利范围第7项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极具有一平行于该切口之去角状边缘。如申请专利范围第1项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极具有相对于一条对分该像素电极的横向线呈对称状排列之复数个切口。如申请专利范围第9项之薄膜电晶体阵列面板，其进一步包含一与该等第一及第二讯号线分离且重叠于该像素电极之第三讯号线。如申请专利范围第10项之薄膜电晶体阵列面板，其进一步包含一连接至该第三讯号线且重叠于该等切口之储存电极。一种薄膜电晶体阵列面板，包含：一基材；一第一讯号线，其系形成于该基材上；一第二讯号线，其系形成于该基材上且与该第一讯号线相交；一薄膜电晶体，其包括一连接至该第一讯号线且具有一大致平行于该第一讯号线之边缘的闸极电极、一连接至该第二讯号线之源极电极、一汲极电极，该汲极电极包含一大致平行于该第二讯号线且重叠于该闸极电极的该边缘之第一部分、及一自该第一部分延伸于一不同于该第一部分之方向的第二部分；以及一像素电极，其系连接至该汲极电极之该第二部分；其中该像素电极与该汲极电极系设置于该基材之不同层中。如申请专利范围第12项之薄膜电晶体阵列面板，其中该第二部分系大致平行于该第一讯号线。如申请专利范围第12项之薄膜电晶体阵列面板，其中该闸极电极之该边缘系大致垂直于该第二讯号线。如申请专利范围第12项之薄膜电晶体阵列面板，其中该源极电极系部分地包围该汲极电极之一部分。如申请专利范围第15项之薄膜电晶体阵列面板，其中该源极电极具有一面对该汲极电极且具有一呈一钩或马蹄形状之边缘。如申请专利范围第14项之薄膜电晶体阵列面板，其中该源极电极与该汲极电极具有彼此面对且呈直线状之边缘。如申请专利范围第12项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极具有一切口。如申请专利范围第18项之薄膜电晶体阵列面板，其中该切口与该第一讯号线形成一约为45度或-45度之角。如申请专利范围第18项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极具有一大致垂直于该切口之去角状边缘。如申请专利范围第20项之薄膜电晶体阵列面板，其中该去角状边缘系相邻地位于该汲极电极之该第一部分与该第二部分之一第一交会点。如申请专利范围第21项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极之该去角状边缘与一角度之一第二交会点系相邻地位于该第一交会点。一种薄膜电晶体阵列面板，包含：一基材；一第一讯号线，其系形成于该基材上；一第二讯号线，其系形成于该基材上且与该第一讯号线相交；一薄膜电晶体，其包括一连接至该第一讯号线且具有一大致平行于该第一讯号线之边缘的闸极电极、一连接至该第二讯号线之源极电极、一汲极电极，该汲极电极包含一大致平行于该第二讯号线且重叠于该闸极电极的该边缘之第一部分；以及一像素电极，其系连接至该汲极电极且包含一延伸至一第一方向之第一切口及一延伸至一第二方向之第二切口；其中该像素电极与该汲极电极系设置于该基材之不同层中，且其中该像素电极具有一大致垂直于该第一方向或该第二方向之去角状边缘。如申请专利范围第23项之薄膜电晶体阵列面板，其中该汲极电极进一步包含一自该第一部分延伸于一与该第一部分不同之方向的第二部分，且该像素电极系连接至该汲极电极之该第二部分。如申请专利范围第24项之薄膜电晶体阵列面板，其中该去角状边缘系相邻地位于该汲极电极之该第一部分与该第二部分之一第一交会点。如申请专利范围第25项之薄膜电晶体阵列面板，其进一步包含一大致平行于该第一方向或该第二方向之第一储存电极。如申请专利范围第26项之薄膜电晶体阵列面板，其进一步包含一大致平行于该第二讯号线且电气连接至该第一储存电极之第二储存电极。如申请专利范围第25项之薄膜电晶体阵列面板，其进一步包含一大致平行于该第一讯号线之第一储存电极。如申请专利范围第25项之薄膜电晶体阵列面板，其中该像素电极进一步包含一延伸至一第三方向之第三切口。如申请专利范围第29项之薄膜电晶体阵列面板，其中该第一方向与该第二方向系与该第一讯号线呈约45度或-45度之角，且该第三方向系一平行于该第一讯号线之方向。 |
