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一种积层型陶瓷电子元件之制造方法，制造具有介电体层、内部电极层之积层型陶瓷电子元件，包括：形成于烧成后变为前述介电体层之生胚薄片的制程；使用导电体胶在前述生胚薄片上以预定图案形成于烧成后变为前述内部电极层之烧成前电极层的制程；依序叠积前述生胚薄片、前述烧成前电极层而形成生胚晶片的制程；以及烧成前述生胚晶片的制程；其特征在于：用于形成前述烧成前电极层之导电体胶系至少包含：导电体粒子、由陶瓷粉末构成之第1共材、具有比陶瓷粉末构成之前述第1共材还大之平均粒子径的第2共材；前述第1共材之平均粒子径系为介于前述导电体粒子之平均粒子径之1/20~1/2之间的大小；前述第2共材之平均粒子径系为介于烧成后之前述内部电极层之平均厚度之1/10~1/2之间的大小；存在向烧成后的内部电极层突出的陶瓷粒子；前述陶瓷粒子向前述内部电极层突出的深度，相对于前述内部电极层的厚度，为10%以上的深度。如申请专利范围第1项所述之积层型陶瓷电子元件之制造方法，其中前述第2共材之平均粒子径系介于0.2~0.5μm之间。如申请专利范围第1或2项所述之积层型陶瓷电子元件之制造方法，其中相对于前述导电体粒子100重量部而言，前述导电体胶中之前述第1共材之含有量系介于5~35重量部之间。如申请专利范围第1或2项所述之积层型陶瓷电子元件之制造方法，其中相对于前述导电体粒子100重量部而言，前述导电体胶中之前述第2共材之含有量系比1重量部多但未满15重量部。如申请专利范围第1或2项所述之积层型陶瓷电子元件之制造方法，其中相对于前述导电体粒子100重量部而言，前述导电体胶中之前述第1共材之含有量系介于5~35重量部之间，而且前述导电体胶中之前述第2共材之含有量系比1重量部多但未满15重量部。如申请专利范围第1或2项所述之积层型陶瓷电子元件之制造方法，在前述导电体胶中，前述第1共材的含量，相对于前述导电体粒子100重量部，为20-25重量部。如申请专利范围第1或2项所述之积层型陶瓷电子元件之制造方法，在前述导电体胶中，前述第1共材的含量，相对于前述导电体粒子100重量部，为20重量部。 |
