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一种磁感测器，包括：包含有复数弯曲之薄膜磁阻组件之磁阻组件单元；包含有比较器电路和回授电阻之IC电路波形处理单元，磁阻组件单元和IC电路波形处理单元系在基板上；连接到磁阻组件单元和IC电路波形处理单元之半导体基板；及安装有半导体基板之复数导线支架，半导体基板和导线支架系被容纳在封装体之中，其中磁阻组件单元包含以不同方向弯曲之复数磁阻组件且形成惠思登电桥，而且半导体基板系安装在对着封装体表面倾斜之导线支架上。如申请专利范围第1项之磁感测器，其中半导体基板系安装在导线支架上，半导体基板具有含有惠思登电桥之磁阻组件单元。如申请专利范围第1项之磁感测器，其中导线支架包含：平台部分，用以固定半导体基板；和支撑平台部分之支架部分，该支架部分被弯曲，以调整平台部分之表面对着封装体表面的角度。如申请专利范围第3项之磁感测器，其中V形沟槽在支架部分之上被切割出。如申请专利范围第3项之磁感测器，其中半导体基板系以对平行于支架部分之轴成一角度被固定至平台部分。如申请专利范围第3项之磁感测器，其中半导体基板系以对垂直于支架部分之轴成一角度固定至平台部分。一种磁感测器之制造方法，该磁感测器包括在半导体基板上之磁阻组件单元和IC电路波形处理单元，该半导体基板系安装在包含支架部分和平台部分之导线支架上，该方法包括下列各步骤：弯曲支架部分；对着封装体表面调整平台部分的角度；及将半导体基板固定到平台部分的表面上，其中V形沟槽系切割在支架部分之上，以调整平台部分的角度。一种旋转检测装置，其包括根据申请专利范围第1项至第6项中任一项之磁感测器。一种位置检测装置，其包括根据申请专利范围第1项至第6项中任一项之磁感测器。 |
