发明名称 提供一种在介电堆叠结构具有蚀刻区域之有机垂直空腔雷射阵列装置
摘要
申请公布号 TWI333699 申请公布日期 2010.11.21
申请号 TW093119124 申请日期 2004.06.29
申请人 柯达公司 发明人 凯斯 布莱恩 卡亨
分类号 H01L33/02 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种制造一有机垂直空腔雷射阵列装置之方法,其包含以下步骤:a)提供一基板;b)提供反射一预定范围之波长之光且安置在该基板上之一底部介电堆叠结构之一第一部分;c)在该底部介电堆叠结构之该第一部分之该顶面内形成一蚀刻区域,以界定一间隔雷射像素之阵列,其具有比该等像素间区域更高之反射率,使得该阵列发射雷射光;d)在该经蚀刻之第一部分上方形成该底部介电堆叠结构之一第二部分;e)在该底部介电堆叠结构之该第二部分上方形成一活性区域以产生雷射光;及f)在该活性区域上方形成一自该底部介电堆叠结构间隔开来且反射一预定范围波长之光之顶部介电堆叠结构。如请求项1之方法,其包括在该底部介电堆叠结构之该等第一与第二部分之间形成一平坦层之步骤。如请求项2之方法,其中该平坦层包括聚醯亚胺或SiO2且由化学机械研磨系统削薄。如请求项2之方法,其中该平坦层包括聚甲基丙烯酸甲酯。如请求项1之方法,其中该活性区域包括一或多个周期性增益区域及多个间隔层,该等间隔层安置于该(等)周期性增益区域之任一侧上,且排列使得该(等)周期性增益区域与该装置之驻波电磁场之该等波腹对准。如请求项1之方法,其中泵浦光束之光穿过该等介电堆叠结构之至少一个来透射及引入该活性区域中。如请求项5之方法,其中该(等)周期性增益区域为主体材料与掺杂剂之组合物,且该间隔层对泵浦光束之光及雷射光实质上透明。
地址 美国
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