| 主权项 |
一种半导体记忆装置，其包括：复数个第一储存构件，其每一者经组态以储存包含于一具有复数个列及行之单元阵列中之对应列的一更新时间；复数个第二储存构件，其每一者经组态以在侦测该对应列之该更新时间时储存该等对应列之行资料；一振荡器，其经组态以产生一自我更新模式中之一最小更新周期信号；一计数器，其经组态以产生该自我更新模式中之顺序内部更新位址；及一更新周期控制器，其经组态以产生一设定更新周期信号，其中用于该对应列之一更新周期系由选择该设定更新周期信号及该最小更新周期信号之一决定，以回应储存于该等第一储存构件之数值。如请求项1之半导体记忆装置，其进一步包括一模式暂存器设定，其经组态以基于在输入一模式暂存器设定指令时经由一预定位址插针输入之码而控制该设定更新周期信号之一周期。一种用于驱动一半导体记忆装置之方法，其包括：初始化对应于包含于一具有复数个列及行之单元阵列中之每一对应列之一更新时间的第一资料；在进入一自我更新模式之后，储存对应于包含于该单元阵列之一第一列中之行资料的第二资料；藉由侦测该第一列之该更新时间来设定对应于该第一列之该第一资料，同时以预定更新循环根据一基于该对应第一资料选择之更新周期而对该单元阵列中之其他列执行更新操作，其中在该等预定更新循环期间并不对该第一列执行该更新操作；将该第二资料复原至该第一列；及对于该单元阵列中之该等其他列重复以上步骤，藉此设定该对应第一资料，直至对于该单元阵列中之所有列完成该设定步骤或该自我更新模式终止。如请求项3之方法，其中当该自我更新模式终止时执行该初始化该第一资料。如请求项3之方法，其中该第一资料经初始化以在每一更新循环执行该更新操作。如请求项3之方法，其中该设定该第一资料包含：将该第二资料与储存于该第一列中之该行资料进行比较；基于该比较结果而设定对应于该第一列之该第一资料。如请求项6之方法，其中当该第二资料与储存于该第一列中之该行资料不同时，将对应于该第一列之该第一资料设定至一第一值；且当该第二资料与储存于该第一列中之该行资料相同时，将对应于该第一列之该第一资料设定至一第二值。如请求项7之方法，其中当对应于该第一列之该第一资料经设定至该第一值时，在每一更新循环对该第一列执行该更新操作；且当对应于该第一列之该第一资料经设定至该第二值时，根据一由一模式暂存器设定来设定之设定更新周期而对该第一列执行该更新操作。一种用于驱动一半导体记忆装置之方法，其包括：初始化对应于包含于一具有复数个列及行之单元阵列中之每一对应列之一更新时间的第一资料；在进入一自我更新模式之后，储存对应于包含于该单元阵列中之对应第一资料未经设定之一第一列中的行资料之第二资料；藉由侦测该第一列之该更新时间来设定对应于该第一列之该第一资料，同时以预定更新循环根据一基于该对应第一资料选择之更新周期而对该单元阵列中之其他列执行更新操作，其中在该等预定更新循环期间并不对该第一列执行该更新操作；将该第二资料反相；将该经反相之第二资料复原至该第一列；执行重复自该储存步骤至该复原步骤之该等步骤的第一重复；及对于该单元阵列中之对应第一资料未经设定之该等其他列重复自该储存步骤至该第一重复步骤之该等步骤，藉此设定该对应第一资料，直至对于该单元阵列中之所有列完成该设定步骤或该自我更新模式终止。如请求项9之方法，其中回应于一电力开启操作而执行该初始化该第一资料。如请求项10之方法，其中该第一资料经初始化以在每一更新循环执行该更新操作。如请求项9之方法，其中该设定该第一资料包含：将该第二资料与储存于该第一列中之该行资料进行比较；基于该比较结果而设定对应于该第一列之该第一资料。如请求项12之方法，其中当该第二资料与储存于该第一列中之该行资料不同时，将对应于该第一列之该第一资料设定至一第一值；且当该第二资料与储存于该第一列中之该行资料相同时，将对应于该第一列之该第一资料设定至一第二值。如请求项13之方法，其中当对应于该第一列之该第一资料经设定至该第一值时，在每一更新循环对该第一列执行该更新操作；且当对应于该第一列之该第一资料经设定至该第二值时，根据一由一模式暂存器设定来设定之设定更新周期而对该第一列执行该更新操作。一种用于驱动一半导体记忆装置之方法，其包括：初始化对应于包含于一具有复数个列及行之单元阵列中之每一对应列之一更新时间的第一资料；在进入一第一自我更新模式之后，储存对应于包含于该单元阵列中之对应第一资料经设定至一第一值的第一列中之行资料的第二资料；藉由侦测该第一列之该更新时间来执行设定对应于该第一列之该第一资料的第一设定，同时以预定更新循环根据一基于该对应第一资料选择之更新周期而对该单元阵列中之其他列执行更新操作，其中在该等预定更新循环期间并不对该第一列执行该等更新操作；将该第二资料复原至该第一列；对于该单元阵列中之对应第一资料未经设定之该等其他列执行重复自该储存步骤至该复原步骤之该等步骤的第一重复，藉此设定该对应第一资料，直至对于该单元阵列中之所有列完成该设定步骤或该第一自我更新模式终止；在该第一自我更新模式终止之后，执行将对应于在一正常作用中模式期间被写入之列之该第一资料设定至该第一值的第二设定；对于每一自我更新模式重复自该储存步骤至该第二设定步骤之该等步骤。如请求项15之方法，其中回应于一电力开启操作而执行该初始化该第一资料。如请求项16之方法，其中该第一资料经初始化至一第二值，其中根据一由一模式暂存器设定来设定之设定更新周期而对对应第一资料经设定至第二值的列执行该更新操作。如请求项15之方法，其中该设定该第一资料包含：将该第二资料与储存于该第一列中之该行资料进行比较；基于该比较结果而设定对应于该第一列之该第一资料。如请求项18之方法，其中当该第二资料与储存于该第一列中之该行资料不同时，将对应于该第一列之该第一资料设定至该第一值；且当该第二资料与储存于该第一列中之该行资料相同时，将对应于该第一列之该第一资料设定至一第二值。如请求项19之方法，其中当对应于该第一列之该第一资料经设定至该第一值时，在每一更新循环对该第一列执行该更新操作；且当对应于该第一列之该第一资料经设定至该第二值时，根据该设定更新周期而对该第一列执行该更新操作。一种在一具有复数个记忆组之半导体记忆装置中之方法，每一该记忆组包含列及行之一阵列，该等列各具有一包含一对应于每一该列之列暂存器的列暂存器单元，且该等行各具有一包含一对应于每一该行之行暂存器的行暂存器单元，该方法用于确定每一该列之一更新时间，该方法包括：确定一设定更新周期信号是否不在作用中；若该设定更新周期信号不在作用中，则仅当"0"被储存于该列暂存器单元之该对应列暂存器中时对于一列执行一更新操作，其中当储存于一预定列中之行资料与储存于该行暂存器单元中之资料相同时，该对应列暂存器储存"1"，且当储存于该预定列中之该行资料并不与储存于该行暂存器单元中之资料相同时，该对应列暂存器储存"0"。 |
