| 主权项 |
一种影像感测器，其包含：一半导体基底；复数个像素定义于该半导体基底上，且各该像素包含有一像素电极；一光导层以及一透明导电层依序设于该像素电极上；以及一遮蔽元件设于任二相邻之该等像素电极之间，该遮蔽元件包含有：一遮蔽电极；以及一绝缘结构，包覆该遮蔽电极，以使该遮蔽电极隔离于该等像素电极和该光导层。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该遮蔽电极之一剖面形状系为「T」字形状。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该遮蔽电极之材料为多晶矽材料或金属材料。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该绝缘结构之底面与该等像素电极之底面系位于同一平面上。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该遮蔽元件系覆盖于该等像素电极之边缘部分，而未被该遮蔽元件覆盖之各该像素电极系与该光导层直接接触。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该遮蔽元件系如同网状围绕各该像素电极。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该绝缘结构包含氧化矽(silicon oxide，SiO2)或氮化矽(silicon nitride，SiN)材料。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该遮蔽电极系处于接地状态。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该光导层系由一n型层(n－layer)、一本徵层(intrinsic layer，i－layer)以及一p型层(p－type layer)依序堆叠而形成。如申请专利范围第9项所述之影像感测器，其中该n型层以及该p型层包含氢化非晶质碳化矽(hydrogenated amorphous silicon carbide，α－SiC：H)材料。如申请专利范围第9项所述之影像感测器，其中该本徵层包含有氢化非晶矽(hydrogenated amorphous silicon，α－Si：H)材料。一种制作一影像感测器之方法，该方法包含有：提供一基底；于该基底表面形成一第一导电层；移除部分该第一导电层以形成复数个像素电极；于该基底表面依序形成一第一绝缘层以及一第二导电层；移除部分设于该像素电极表面之该第二导电层以及该第一绝缘层；于该基底表面形成一第二绝缘层；移除部分设于该像素电极表面之该第二绝缘层；以及于该基底之上依序形成一光导层与一透明导电层，其中未移除之该第二导电层系于任二相邻之该等像素电极之间形成一遮蔽电极，并且未移除之该第一绝缘层与该第二绝缘层系形成一绝缘结构包覆该遮蔽电极，并且该遮蔽电极与该绝缘结构系共同形成一遮蔽元件。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该移除部分该第二导电层以及该第一绝缘层之步骤系藉由一微影暨蚀刻制程(photolithography－etching process，PEP)所完成。如申请专利范围第13项所述之方法，其中在完成该微影暨蚀刻制程之后，未移除之该第一绝缘层系隔绝该该遮蔽电极与该像素电极。如申请专利范围第12项所述之方法，其包含一第一微影制程，系利用一光罩定义该等像素电极图案以形成该像素电极，以及一第二微影制程以及一第三微影制程，系利用同一光罩定义相反于该等像素电极图案之互补图案，以形成该遮蔽电极以及该绝缘结构。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第一微影制程系使用一正型光阻来进行图案转移，而该第二与该第三微影制程系分别利用一负型光阻来进行图案转移。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第一微影制程系使用一负型光阻来进行图案转移，而该第二与该第三微影制程系分别利用一正型光阻来进行图案转移。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该遮蔽电极之一剖面形状系为「T」字形状。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该遮蔽电极包含有多晶矽材料或金属材料。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该遮蔽电极与该绝缘结构系覆盖于该等像素电极之边缘部分，而未被该绝缘结构覆盖之各该像素电极系直接设于该光导层之下方。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该遮蔽元件系如同网状围绕各该像素电极。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该遮蔽电极系处于接地状态。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该光导层系由一n型层、一本徵层以及一p型层依序堆叠而形成。 |
