| 主权项 |
一种用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，至少包含下列步骤：将该含铝接合垫曝露于一反应离子馈送气体中，其中该反应离子馈送气体系为反应离子蚀刻装置内的一物理性蚀刻气体及一化学性蚀刻气体之混合物；以及施加功率能量至该反应离子馈送气体，以于反应离子蚀刻装置内产生活性电浆，其中该活性电浆利用物理性蚀刻法及化学性蚀刻法移除在该含铝接合垫上的该AlxFyOz氧化沉积物。如申请专利范围第1项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该物理性蚀刻气体至少包含惰性气体。如申请专利范围第1项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该化学性蚀刻气体至少包括含卤素之气体。如申请专利范围第1项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该反应离子馈送气体至少包含SF6/CF4/Ar。如申请专利范围第4项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该SF6/CF4/Ar气体系分别以5至15 sccm、10至30 sccm及70至200 sccm之比值输入至该反应离子蚀刻装置中。如申请专利范围第4项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该SF6/CF4/Ar气体系分别以10 sccm、20 sccm及135 sccm之比值输入至该反应离子蚀刻装置中。如申请专利范围第1项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该反应离子馈送气体至少包含Cl2/BCL3/Ar。如申请专利范围第1项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该反应离子蚀刻装置维持在200 mTorr，且该功率能量约为700 Watts，并持续至少60秒。如申请专利范围第1项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该反应离子蚀刻装置维持在200 mTorr，且该功率能量约为700 Watts，并持续至少120秒。如申请专利范围第4项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，更包含一清洗步骤，系进行一低功率能量之O2电浆蚀刻步骤，移除位于晶圆上一部份的聚亚醯胺保护层，以去除任何含氟残留物。如申请专利范围第7项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，更包含一清洗步骤，系进行一高功率能量之O2电浆蚀刻步骤，以完全移除位于晶圆上的聚亚醯胺保护层，以去除任何含氯残留物。一种用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，至少包含下列步骤：在一反应离子蚀刻室中沉积该含铝接合垫；于该反应离子蚀刻室中提供一标准气压，其中该标准气压至少包含氩气及至少一气体，且该气体处于电浆状态时，该气体利用化学性蚀刻法蚀刻该AlxFyOz氧化沉积物；以及施加功率能量，以于该反应离子蚀刻室中形成一电浆，其中该电浆与该AlxFyOz氧化沉积物进行反应，以利用物理性蚀刻法及化学性蚀刻法去除该含铝接合垫上的该AlxFyOz氧化沉积物。如申请专利范围第12项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该气体至少包括含卤素之气体。如申请专利范围第13项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该含卤素之气体至少包括SF6/CF4/Ar。如申请专利范围第14项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该SF6/CF4/Ar系分别以5至15 sccm、10至30 sccm及70至200 sccm之比值输入至该反应离子蚀刻室中。如申请专利范围第14项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该SF6/CF4/Ar系分别以10 sccm、20 sccm及135 sccm之比值输入至该反应离子蚀刻室中。如申请专利范围第13项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该含卤素之气体至少包括Cl2/BCL3。如申请专利范围第12项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该反应离子蚀刻室维持在200 mTorr，且该功率能量约为700 Watts，并持续至少60秒。如申请专利范围第12项所述之用于半导体晶圆上含铝接合垫之AlxFyOz氧化沉积物的移除方法，其中该反应离子蚀刻室维持在200 mTorr，且该功率能量约为700 Watts，并持续至少120秒。 |
