发明名称 PHOTODIODE A CONTROLE DE CHARGE D'INTERFACE PAR IMPLANTATION ET PROCEDE ASSOCIE.
摘要 <p>Cette photodiode comprend une première couche dopée (2) et une deuxième couche dopée (3) présentant une face commune, au moins une tranchée d'isolation profonde (4) présentant une face contiguë avec la première couche dopée (2) et la deuxième couche dopée (3), une face libre de la deuxième couche dopée (3) étant en contact avec une couche conductrice (5). Elle comprend une couche de protection (7) apte à générer une couche de charges négatives à l'interface avec d'une part la première couche dopée (2) et la deuxième couche dopée (3) et d'autre part la tranchée d'isolation profonde.</p>
申请公布号 FR2945672(A1) 申请公布日期 2010.11.19
申请号 FR20090053289 申请日期 2009.05.18
申请人 STMICROELECTRONICS SA;STMICROELECTRONICS (CROLLES) 2 SAS 发明人 REGOLINI JORGE;PINZELLI LUC
分类号 H01L31/101;H01L21/22;H01L21/328;H01L21/469 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人
主权项
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