| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant les étapes de : - gravure (S1) pour former au moins un motif formant un creux, notamment de type « via traversant », par rapport à la surface dudit substrat semi-conducteur ; - dépôt (S2) d'une couche diélectrique isolante sur ladite surface dudit substrat semi-conducteur ; - dépôt (S3) d'une couche de silicium dopé in-situ au phosphore sur ladite couche diélectrique isolante ; - revêtement (S4) de ladite couche de silicium dopé in-situ au phosphore par une couche de cuivre métallique, l'étape de revêtement (S4) comprenant une électrodéposition utilisant une solution d'électrodéposition adaptée pour une croissance du cuivre métallique sur du silicium dopé in-situ au phosphore.</p> |
