Transistorbauelement mit Abschirmstruktur

摘要

Beschrieben wird ein Transistorbauelement, das aufweist: eine Sourcezone (12) eines ersten Leitungstyps, die an den Sourceanschluss (S) angeschlossen ist und eine Drainzone (14) des ersten Leitungstyps, die an den Drainanschluss (D) angeschlossen ist; eine zwischen der Sourcezone (12) und der Drainzone (14) angeordnete Driftzone (11); eine Sperrschichtsteuerstruktur zur Steuerung einer Sperrschichtzone in der Driftzone (11) zwischen der Drainzone (14) und der Sourcezone (12), die wenigstens eine Steuerzone (13; 41) aufweist; eine Abschirmstruktur die in der Driftzone (11) zwischen der Sperrschichtsteuerstruktur (13; 41) und der Drainzone (14) angeordnet ist und die wenigstens eine Abschirmzone (21) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps aufweist, wobei die Abschirmzone (21) an einen Anschluss (S; G; G') für ein Abschirmpotenzial gekoppelt ist und wobei die wenigstens eine Steuerzone (13; 41) und die wenigstens eine Abschirmzone (21) eine unterschiedliche Geometrie oder eine unterschiedliche Ausrichtung in einer Ebene quer zu einer Stromflussrichtung des Bauelements besitzen.