Reduzierte Siliziumdicke in n-Kanaltransistoren in SOI-CMOS Bauelementen

摘要

In komplexen SOI-Bauelementen ist die Dicke der aktiven Hableiterschicht in dem n-Kanaltransistor im Vergleich zu dem p-Kanaltransistor bei einer vorgegebenen Transistorkonfiguration geringer, wodurch eine deutliche Zunahme der Leistung des n-Kanaltransistors erreicht wird, ohne dass das Leistungsverhalten des p-Kanaltransistors negativ beeinflusst wird.