Halbleiterbauelement mit Metallgate und einem siliziumenthaltenden Widerstand, der auf einer Isolationsstruktur gebildet ist

摘要

In einem Halbleiterbauelement mit komplexen Metallgatestrukturen mit großem ε, die gemäß einem Austauschgateansatz hergestellt sind, werden halbleiterbasierte Widerstände über Isolationsstrukturen gebildet, ohne dass der Austauschgateablauf wesentlich beeinflusst wird. Folglich kann eine bessere Flächeneffizienz im Vergleich zu konventionellen Strategien erreicht werden, in denen die Widerstandsstrukturen auf der Grundlage eines Gateelektrodenmetalls vorgesehen werden müssen, wobei dennoch eine geringe parasitäre Kapazität auf Grund des Vorsehens der Widerstandsstruktur über der Isolationsstruktur erreicht wird.