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发明名称 Ätzverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer unteren Kondensatorelektrode
摘要
申请公布号 DE102004045492(B4) 申请公布日期 2010.11.18
申请号 DE200410045492 申请日期 2004.09.20
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 LEE, WON-JUN;HWANG, IN-SEAK;KO, YONG-SUN;YOON, BYOUNG-MOON
分类号 H01L21/306;H01L21/8242;H01L21/02;H01L21/311;H01L27/108 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
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