| 发明名称 | 超高频半有源射频识别标签 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种超高频半有源射频识别标签，该标签包括：电源、微处理器、超高频天线、升压电路和反向散射电路，其中所述电源与所述微处理器连接，向所述微处理器供电；所述升压电路和所述超高频天线连接，输出升压信号至所述微处理器；所述反向散射电路与所述微处理器连接，在所述微处理器控制下导通或者断开。因此，本实用新型超高频半有源射频识别标签采用电池供电，具有数据大容量存储区，低功耗，大存储区，体积小，具有液晶显示功能。 | ||
| 申请公布号 | CN201638246U | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200920168222.9 | 申请日期 | 2009.08.19 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 李健;曾祥希;张恺;金磊;马振华 |
| 分类号 | G06K19/07(2006.01)I;G06K19/073(2006.01)I | 主分类号 | G06K19/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 许志勇 |
| 主权项 | 一种超高频半有源射频识别标签，其特征在于包括：电源、微处理器、超高频天线、升压电路和反向散射电路，其中：所述电源与所述微处理器连接，向所述微处理器供电；所述升压电路和所述超高频天线连接，输出升压信号至所述微处理器；所述反向散射电路与所述微处理器连接，在所述微处理器控制下导通或者断开。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 | ||