发明名称 |
具覆膜结构的发光二极管装置 |
摘要 |
一种具覆膜结构的发光二极管装置,包括:一高热传导基板、一反射盖、多数个发光二极管晶粒及一荧光膜,该高热传导基板的二端部各设有二电极接点,该反射盖设于高热传导基板上,该反射盖具有一凹槽,该些发光二极管晶粒电性地设于高热传导基板上且位于凹槽内,该荧光膜贴设于反射盖上且覆盖于该些发光二极管晶粒;藉此,可使发光效果较均匀,发光效率保持均一性,提升良率,并有效节省人力、成本。 |
申请公布号 |
CN201638845U |
申请公布日期 |
2010.11.17 |
申请号 |
CN201020112979.9 |
申请日期 |
2010.02.02 |
申请人 |
廖珮绫 |
发明人 |
廖珮绫 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;F21S2/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种具覆膜结构的发光二极管装置,其特征在于,包括有:一高热传导基板,其二端部各设有二电极接点;一反射盖,其设于该高热传导基板上,该反射盖具有一凹槽;多数个发光二极管晶粒,其电性地设于该高热传导基板上且位于该凹槽内;以及一荧光膜,其贴设于该反射盖上且覆盖于该些发光二极管晶粒。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |