| 发明名称 | 半导体存储装置的内部电压产生电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体存储装置的内部电压产生电路，能够控制检测信号的摆幅宽度。半导体存储装置的内部电压产生电路包括：内部电压电平检测单元，其配置成比较内部电压与目标电压，然后产生检测信号；以及内部电压电平控制单元，其配置成根据检测信号的电压电平来控制内部电压，其中内部电压电平检测单元配置成根据内部电压与目标电压之间的电压差来控制检测信号的摆幅宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN101887744A | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200910177752.4 | 申请日期 | 2009.09.25 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔珉硕 |
| 分类号 | G11C5/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置的内部电压产生电路，包括：内部电压电平检测单元，配置成比较内部电压与目标电压，然后产生检测信号；及内部电压电平控制单元，配置成根据检测信号的电压电平来控制内部电压，其中所述内部电压电平检测单元配置成根据内部电压与目标电压之间的电压差来控制检测信号的摆幅宽度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||