| 发明名称 | 一种半导体功率器件用衬底硅片及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种功率半导体器件用衬底硅片的制造工艺，特征在于在原始单晶片N-基片A的背面上刻蚀设置有深度为需要扩散的N+结深的二分之一、宽度及间距与需要扩散的N+结深相符的凹槽，由于凹槽的原因，在背面上实施扩散达到N+结深设计要求厚度N+层所需的时间比不带凹槽时的时间相比可减少二分之一，相应地在正面上形成的N+层厚度可以减薄二分之一，因而可以相应地缩短扩散生成N+层的时间，节约去除正面N+层的加工时间，减薄所用原始单晶片的厚度，生产周期短且用料少，有利于降低生产成本、材料成本和提高生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101465290B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200810205212.8 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 上海富华微电子有限公司 | 发明人 | 王新;张华群 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人 | 沈美英 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件用衬底硅片的制造工艺，其特征在于工艺流程如下：a.选用厚度相当于现用原始单晶片N-基片厚度减去二分之一N+结深设计厚度的原始单晶片N-基片A(1)；b.在原始单晶片N-基片A(1)的背面上刻蚀深度为需要扩散的N+结深的二分之一、宽度及间距与需要扩散的N+结深相符的凹槽(2)；c.对刻蚀有凹槽(2)的基片(3)双面先用磷扩散设置预扩N+区A(4)和B(5)，再按N+结深设计要求用磷对预扩N+区A(4)和B(5)进行再扩，制成由符合N+结深设计要求厚度的正面N+区(6)、背面N+区(7)和中间过渡性N-区(8)构成的衬底基础片(9)；d.采用减薄工艺去除掉正面N+区(6)，并按设计要求减薄过渡性N-层(8)，制造出由符合设计要求的正面N-层(10)和背面N+层(7)构成的功率器件用衬底硅片。 | ||
| 地址 | 200122 上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座 | ||