发明名称 |
具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明关于一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法。该内埋式基板包括一介电层及一线路层组件。该介电层具有一上表面及一容置槽。该线路层组件位于该容置槽内。该线路层组件具有一上表面、一化学铜层、一电镀铜层及一侧斜面。该上表面等高于或低于该介电层的上表面。该化学铜层具有钯(Pd)。该电镀铜层位于该化学铜层上。该侧斜面位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处,且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁。藉此,该线路层组件的侧斜面,可避免已知技术中电子聚集于该线路层组件的尖角。 |
申请公布号 |
CN101888738A |
申请公布日期 |
2010.11.17 |
申请号 |
CN200910141414.5 |
申请日期 |
2009.05.13 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
李志成 |
分类号 |
H05K1/02(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I;H05K3/40(2006.01)I |
主分类号 |
H05K1/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板,包括:一介电层,具有一上表面及一容置槽,该容置槽开口于该上表面;及一线路层组件,位于该介电层的容置槽内,该线路层组件具有:一上表面,其等高于或低于该介电层的上表面;一化学铜层,位于该容置槽的孔壁,且该化学铜层具有钯(Pd);一电镀铜层,位于该化学铜层上;及一侧斜面,位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处,且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |